以下是:跌落式熔斷器庫(kù)存量大的產(chǎn)品參數(shù)
| 產(chǎn)品參數(shù) |
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| 產(chǎn)品價(jià)格 | 1/個(gè) |
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| 發(fā)貨期限 | 3 |
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| 供貨總量 | 10000 |
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| 運(yùn)費(fèi)說(shuō)明 | 12 |
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在南陽(yáng)市內(nèi)鄉(xiāng)縣采買跌落式熔斷器庫(kù)存量大到樊高電氣有限公司(內(nèi)鄉(xiāng)分公司),無(wú)論您是個(gè)人用戶還是企業(yè)采購(gòu),我們都將竭誠(chéng)為您服務(wù)。品質(zhì)保證,價(jià)格優(yōu)惠,廠家直銷,歡迎有需要的客戶來(lái)電。聯(lián)系人:樊露-13587716025,QQ:1139938146,地址:《樂(lè)清市象陽(yáng)鎮(zhèn)》。 河南省,南陽(yáng)市,內(nèi)鄉(xiāng)縣 內(nèi)鄉(xiāng)旅游資源得天獨(dú)厚，曾榮膺“中國(guó)自駕車旅游品牌十大目的地”稱號(hào)。擁有被聯(lián)合國(guó)教科文組織列入世界生物圈保護(hù)區(qū)：內(nèi)鄉(xiāng)寶天曼，中國(guó)四大古代官衙之一：內(nèi)鄉(xiāng)縣衙，中國(guó)景觀村落：吳埡石頭村，中原生態(tài)養(yǎng)生福地：云露山，紀(jì)念商圣范蠡的祠堂：商圣苑以及寶天曼峽谷漂流、七星潭景區(qū)、桃花源景區(qū)、天心洞等眾多風(fēng)景名勝。
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以下是:跌落式熔斷器庫(kù)存量大的圖文介紹
南陽(yáng)內(nèi)鄉(xiāng)真空斷路器ZW32-12/630的詳細(xì)介紹
貨源報(bào)價(jià) 貨真價(jià)實(shí)
由
圖可見(jiàn)，升壓變換器的拓?fù)浠窘Y(jié)構(gòu)未被破壞。本應(yīng)用中，MAX668把3.3V電壓變?yōu)?V，負(fù)載電流可達(dá)3A。貼片保險(xiǎn)絲VICFUSE貼片保險(xiǎn)絲VICFUSE其中P溝道增強(qiáng)型MOSFET——Q1是實(shí)現(xiàn)負(fù)載斷路的關(guān)鍵元件。當(dāng)MAX668在關(guān)閉模式時(shí)，二極管D1仍然導(dǎo)通，使得MAX810L的電源端的電壓為3.3V減去二極管D1的管壓降。由于MAX810L的復(fù)位門檻電平為4.65V，因此其RESET端輸出為
高電平，迫使Q1關(guān)斷，從而使負(fù)載與輸入電源斷開(kāi)。MAX668通過(guò)外部反饋電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)定5V輸出電壓。當(dāng)輸出電壓超MAX810L的復(fù)位門檻電平時(shí)，其內(nèi)部單穩(wěn)電路開(kāi)始工作并延時(shí)約240ms。之后，MAX810L的輸出變低，使Q1導(dǎo)通。Q1導(dǎo)通之后，MAX810L一直監(jiān)測(cè)輸出電壓以確定輸出是否過(guò)流。過(guò)載將會(huì)導(dǎo)致輸出電壓下降，當(dāng)它低于MAX810L門檻電平時(shí)，MAX810L的輸出經(jīng)過(guò)20μs的延遲后由高變低
，從而關(guān)斷Q1并使負(fù)載斷開(kāi)。由于MAX668的升壓作用，MAX810電源端電壓又會(huì)高于其門檻電平，240ms的復(fù)位延遲時(shí)間后，MAX810L輸出再次由高變低，開(kāi)通Q1并自動(dòng)再次連通負(fù)載。上述過(guò)程會(huì)一直周期性重復(fù)下去，除非移去多余負(fù)載或?qū)AX668關(guān)閉使其停止工作。因此MAX810L和開(kāi)關(guān)Q1一起構(gòu)成了一個(gè)固態(tài)開(kāi)關(guān)（電子保險(xiǎn)絲）。保險(xiǎn)絲保險(xiǎn)絲MAX810L（微功耗器件）具有非平衡推挽輸出級(jí)。當(dāng)對(duì)外
輸出電流時(shí)，它等效于一個(gè)6kΩ電阻；當(dāng)從外汲取電流時(shí)，它等效于一個(gè)125Ω的電阻。當(dāng)導(dǎo)通或關(guān)斷Q1時(shí)，由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電，因此使開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時(shí)，則MAX810汲取電流時(shí)（等效于125Ω電阻）大電流三極管的RC電路的時(shí)間常數(shù)約為0.6μs。整個(gè)導(dǎo)通過(guò)程電壓瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間大約為10RC=6μs。完全關(guān)斷同樣開(kāi)關(guān)Q1
的時(shí)間大約是完全導(dǎo)通時(shí)間的48倍。當(dāng)外部負(fù)載或C2在啟動(dòng)瞬間要汲取較大電流時(shí)，快速導(dǎo)通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復(fù)位門檻電壓從而導(dǎo)致復(fù)位出現(xiàn)，因此在圖2基礎(chǔ)上再增加一RC網(wǎng)絡(luò)以減緩其開(kāi)通過(guò)程，合適地選擇R、C可使負(fù)載連接過(guò)程延續(xù)到幾個(gè)MAX668開(kāi)關(guān)工作周期，使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復(fù)位門檻電壓。假如R、C使Q1的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，同時(shí)也延長(zhǎng)了關(guān)斷時(shí)間。因此需要在電阻上
并聯(lián)一肖特基二極管，以加速當(dāng)負(fù)載過(guò)載時(shí)關(guān)閉Q1的進(jìn)程。為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降（特別是低輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)），則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須小化寄生參數(shù)同時(shí)仔細(xì)考慮電路布局。利用一個(gè)SOT23封裝的低電壓模擬開(kāi)關(guān)（MAX4544）可實(shí)現(xiàn)上述遠(yuǎn)
端調(diào)節(jié)，該開(kāi)關(guān)受控于MAX810L的輸出，如圖4所示。根據(jù)MAX4544產(chǎn)品參數(shù)，其低工作電壓為2.7V。由于輸入電壓為3.3V，而肖特基的正向管壓降為0.3V，因此即使該升壓變換處于關(guān)閉模式，MAX4544（及MAX810）也處于工作狀態(tài)。此時(shí)，MAX810輸出高電平，MAX4544的公共端COM與其常開(kāi)端NO（Q1的源極）相連。當(dāng)MAX668使能時(shí)，與MAX4544公共端相連的電阻網(wǎng)絡(luò)為MA
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